[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200910179792.2 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101728359A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 津田浩嗣;窪田吉孝;高冈洋道 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括电熔丝和用于将电压施加给电熔丝的第二大面积布线。电熔丝包括熔丝单元，该熔丝单元包括上层熔丝布线、下层熔丝布线、以及连接上层熔丝布线和下层熔丝布线的导通孔，上层引出布线连接上层熔丝布线和第一大面积布线并且具有弯曲图案，并且下层引出布线连接下层熔丝布线和第二大面积布线并且具有弯曲图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板；电熔丝，所述电熔丝被形成在所述基板的上方；第一大面积布线，所述第一大面积布线形成在所述基板上方的至少第一层中，用于将电压施加给电熔丝；第二大面积布线，所述第二大面积布线形成在所述基板上方的不同于所述第一层的至少第二层中，用于将电压施加给所述电熔丝，其中所述电熔丝包括：熔丝单元，所述熔丝单元包括形成在所述第一层中的第一熔丝布线、形成在所述第二层中的第二熔丝布线、以及连接所述第一熔丝布线和所述第二熔丝布线的导通孔，并且其中当切断所述熔丝时形成构成所述电熔丝的导电材料的流出部分和切断部分；第一引出布线，所述第一引出布线形成在所述第一层中，连接所述第一熔丝布线和所述第一大面积布线，并且具有弯曲图案；以及第二引出布线，所述第二引出布线形成在所述第二层中，连接所述第二熔丝布线和所述第二大面积布线，并且具有弯曲图案。
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