[发明专利]一种制备氮化物自支撑衬底的方法有效
| 申请号： | 200910180531.2 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101661876A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 徐永宽;殷海丰;程红娟;李强;于祥潞;杨丹丹;赖占平;严如岳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/268;B23K26/36 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 梁 军 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备氮化物自支撑衬底的方法，包括：将异质衬底在单晶炉中生长氮化物薄膜；对生长有氮化物薄膜的异质衬底底部进行凹槽刻蚀，凹槽将异质衬底底部划分为若干个区域；刻蚀结束后，清洗生长有氮化物薄膜的异质衬底，然后放回单晶炉中继续生长，得到后续生长的氮化物膜；去除异质衬底，对后续生长的氮化物膜进行抛光处理，获得剥离后的氮化物自支撑衬底。本发明通过对生长有一薄层氮化物薄膜的初始异质衬底底部进行激光刻蚀，将衬底刻蚀成众多尺寸较小的区域，便于一部分应力的释放，缓解了应力对氮化物生长的影响，再在其上生长低弯曲度、无裂纹的高质量氮化物厚膜，这样便于大尺寸晶片剥离，获得氮化物自支撑衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氮化物 支撑 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备氮化物自支撑衬底的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将异质衬底在单晶炉中生长氮化物薄膜；对生长有氮化物薄膜的异质衬底底部进行凹槽刻蚀，所述凹槽将所述异质衬底底部划分为若干个区域；刻蚀结束后，清洗所述生长有氮化物薄膜的异质衬底，然后放回单晶炉中继续生长，得到后续生长的氮化物膜；去除所述异质衬底，对后续生长的氮化物膜进行抛光处理，获得剥离后的氮化物自支撑衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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