[发明专利]一种高效太阳电池的制备方法有效
申请号: | 200910181238.8 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN101651169A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 张银桥;蔡建九;张双翔;王向武 | 申请(专利权)人: | 扬州汉光光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人: | 江 平 |
地址: | 225009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种高效太阳电池的制备方法,属于半导体技术领域,涉及应用于太空和地面的太阳电池的结构及其制造方法。包括如下步骤:以锗单晶片为衬底、在锗单晶片的一面制作一层保护层材料、利用金属有机化学沉积法在另一面生长太阳电池外延片。本发明太阳电池可以为单结、双结或是多结级联电池,该发明的重点在于在外延电池的背面预先制备一层保护层,以获得高质量的电池结构外延片,该制备方法工艺稳定,所制备太阳电池性能稳定、效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高效太阳电池的制备方法,以锗单晶片为衬底,在锗单晶片的一面利用金属有机化学沉积法生长太阳电池外延片,其特征在于在制作外延片之前,在锗衬底的另一面制作保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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