[发明专利]基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器

摘要

基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域，在注入硼离子并去除SiO₂膜后，采用以下步骤：1)在窗口区域制备隧穿氧化层：用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度：3.5±0.5nm；2)制备纳米硅层层：采用低压化学气相淀积方法，形成高密度、单分散特性一致的nc-Si；nc-Si尺寸：15-20nm；3)制备氮化nc-Si层，对nc-Si氮化：对nc-Si氮化，形成相互电绝缘的nc-Si，同时在nc-Si周围形成势垒层，改善存储信息的保存时间，氮化后的nc-Si尺寸：5-10nm；4)制备氮化硅控制栅：厚度为20-30nm。

主权项

1、基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺(LOCOS方法)形成窗口区域，在注入硼离子并去除SiO2膜后，其特征是采用以下步骤：1)在此硅局域场氧化工艺后的源漏窗口区域制备隧穿氧化层：用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度：3.5±0.5nm；2)制备纳米硅层(nc-Si)层：采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，形成高密度、单分散特性一致的nc-Si；nc-Si尺寸：15-20nm；3)制备氮化nc-Si层，对nc-Si氮化：采用LPCVD方法对nc-Si氮化，形成相互电绝缘的nc-Si，同时在nc-Si周围形成势垒层，改善存储信息的保存时间，氮化后的nc-Si尺寸：5-10nm；4)制备氮化硅(SiNx)控制栅：采用LPCVD方法，厚度为20-30nm。