[发明专利]射频磁控溅射制备铝酸镧薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910181676.4 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101613880A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 王东生;于涛;游彪;胡安 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C30B29/24 | 分类号： | C30B29/24;C30B23/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李纪昌 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开利用射频磁控溅射技术制备高质量的非晶态LaAlO3薄膜的方法。在室温(27～37℃)真空条件下，以LaAlO3单晶圆盘为靶材，采用射频磁控溅射技术将LaAlO3溅射在事先清洗过的基片上(包括硅、石英以及导电玻璃基片等)，然后在600～800℃氧气氛中退火处理60～120min。采用射频磁控溅射技术可以制备高质量的绝缘LaAlO3薄膜，并且通过控制溅射时间可以生长不同厚度的薄膜。本发明制备的LaAlO3薄膜表面及界面均匀平整，在可见光和红外光区域透光性能良好，最大透光率超过90％。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 磁控溅射 制备 铝酸镧 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频磁控溅射制备铝酸镧薄膜的方法，其特征在于制备步骤为：a.采用标准半导体清洗工艺对基片进行清洗并在通入N2的退火炉中进行烘干；b.将烘干后的基片放入磁控溅射仪的真空室中，以单晶LaAlO3为靶材，通入溅射气体Ar，流量大小通过气体流量计控制在20～100sccm，在0.1～0.9Pa压强下，进行薄膜的溅射；c.将溅射后的基片在600～800℃氧气氛中退火处理60～100min，得到非晶铝酸镧薄膜。
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