[发明专利]硅平面半导体器件的玻璃钝化方法

摘要

硅平面半导体器件的玻璃钝化方法，涉及一种半导体器件的玻璃钝化工艺，特别是硅平面半导体器件的表面PN结玻璃钝化工艺。本发明将玻璃粉和光刻胶混合后涂敷在硅片的每一个芯片表面，利用光刻的方法去除不必要的玻璃粉和光刻胶，再经过去胶，将留在硅片表面的光刻胶去除，在PN结部位留下玻璃粉，并在高温下烧结以形成玻璃钝化保护膜。本发明生产工艺过程所用的设备完全可采用通常的台面半导体器件的生产设备，省去了昂贵的CVD专用设备的投资，降低了生产成本，工艺操作简单，易于实施，实现了对平面半导体器件的表面PN结保护。

主权项

1、硅平面半导体器件的玻璃钝化方法，其特征在于将光刻胶和玻璃粉的混合液均匀涂敷在完成了扩散工序待表面钝化的硅片的表面，置于烘箱内进行前烘；然后送入曝光机内曝光，再进行显影，去除不必要的光刻胶和玻璃粉；将显影后的硅片装入载片舟，推入扩散炉进行去胶；再将硅片装上载片舟，推入扩散炉，升温至820℃，在O2气氛中烧结20分钟后将载片舟拉出，取下硅片，即成。