[发明专利]一种金属性和半导体性碳纳米管的分离方法有效
| 申请号： | 200910182678.5 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101704506A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 金赫华;李红波;李清文 | 申请（专利权）人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属性和半导体性碳纳米管的分离方法，其特征在于：基于分离用介质与金属性或半导体性碳纳米管的选择吸附性与富集作用，通过结合电泳、离心或冻结挤压的简便快速、低成本的方式，形成半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管富集区，实现金属性和半导体性碳纳米管的分离。本发明利用分离用介质分离碳纳米管，使分离后的碳纳米管样品保持稳定的状态，有利于精度分离和回收样品，并且易于实现碳纳米管的分离、量产，有利于满足工业化生产的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属性 半导体 纳米 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种金属性和半导体性碳纳米管的分离方法，其特征在于：基于分离用介质对金属性或半导体性的碳纳米管具有选择吸附性，通过结合电泳、离心或冻结挤压的方式形成半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管的富集分离。
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