[发明专利]一种快速响应的CMOS相对湿度传感器有效
申请号: | 200910183227.3 | 申请日: | 2009-07-23 |
公开(公告)号: | CN101620197A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 赵成龙;黄庆安;秦明 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22;B81B7/02 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 叶连生 |
地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种快速响应的CMOS相对湿度传感器,由衬底,氧化层,电容电极,湿度敏感介质组成,氧化层设在衬底上,电容电极设在氧化层上,电容电极由压焊块引出,湿度敏感介质设在电容电极之间和电容电极上方,腐蚀衬底及其上方的氧化层,形成空腔,使得电容电极之间的湿度敏感介质的下表面也与空气接触,电容电极为叉指状电极且交错排列,每组叉指状电极的公共端和叉指状电极的自由端均固定于氧化层上,以保证电极的机械强度。本发明采用聚酰亚胺作为湿度敏感介质,将衬底及其上方的氧化层腐蚀形成空腔,电容电极之间的湿度敏感介质的上方和下方均为空气,该传感器具有响应速度快,灵敏度高,衬底寄生小等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 响应 cmos 相对湿度 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种快速响应的CMOS相对湿度传感器,其特征在于该传感器包括衬底(1)、氧化层(2)、第一电容电极(3)、第二电容电极(4)和湿度敏感介质(5),氧化层(2)设在衬底(1)上,第一电容电极(3)、第二电容电极(4)设在氧化层(2)上,第一电容电极(3)和第二电容电极(4)由第一压焊块(33)和第二压焊块(43)分别引出,湿度敏感介质(5)设在第一电容电极(3)和第二电容电极(4)之间以及第一电容电极(3)和第二电容电极(4)上方,腐蚀衬底(1)及其上方的氧化层(2),形成空腔(6),使得第一电容电极(3)和第二电容电极(4)之间的湿度敏感介质(5)的下表面也与空气接触。
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