[发明专利]一种快速响应的CMOS相对湿度传感器有效

专利信息
申请号: 200910183227.3 申请日: 2009-07-23
公开(公告)号: CN101620197A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 赵成龙;黄庆安;秦明 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22;B81B7/02
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种快速响应的CMOS相对湿度传感器,由衬底,氧化层,电容电极,湿度敏感介质组成,氧化层设在衬底上,电容电极设在氧化层上,电容电极由压焊块引出,湿度敏感介质设在电容电极之间和电容电极上方,腐蚀衬底及其上方的氧化层,形成空腔,使得电容电极之间的湿度敏感介质的下表面也与空气接触,电容电极为叉指状电极且交错排列,每组叉指状电极的公共端和叉指状电极的自由端均固定于氧化层上,以保证电极的机械强度。本发明采用聚酰亚胺作为湿度敏感介质,将衬底及其上方的氧化层腐蚀形成空腔,电容电极之间的湿度敏感介质的上方和下方均为空气,该传感器具有响应速度快,灵敏度高,衬底寄生小等优点。
搜索关键词: 一种 快速 响应 cmos 相对湿度 传感器
【主权项】:
1.一种快速响应的CMOS相对湿度传感器,其特征在于该传感器包括衬底(1)、氧化层(2)、第一电容电极(3)、第二电容电极(4)和湿度敏感介质(5),氧化层(2)设在衬底(1)上,第一电容电极(3)、第二电容电极(4)设在氧化层(2)上,第一电容电极(3)和第二电容电极(4)由第一压焊块(33)和第二压焊块(43)分别引出,湿度敏感介质(5)设在第一电容电极(3)和第二电容电极(4)之间以及第一电容电极(3)和第二电容电极(4)上方,腐蚀衬底(1)及其上方的氧化层(2),形成空腔(6),使得第一电容电极(3)和第二电容电极(4)之间的湿度敏感介质(5)的下表面也与空气接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910183227.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top