[发明专利]一种快速响应的CMOS相对湿度传感器有效
| 申请号： | 200910183227.3 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101620197A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 赵成龙;黄庆安;秦明 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22;B81B7/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种快速响应的CMOS相对湿度传感器，由衬底，氧化层，电容电极，湿度敏感介质组成，氧化层设在衬底上，电容电极设在氧化层上，电容电极由压焊块引出，湿度敏感介质设在电容电极之间和电容电极上方，腐蚀衬底及其上方的氧化层，形成空腔，使得电容电极之间的湿度敏感介质的下表面也与空气接触，电容电极为叉指状电极且交错排列，每组叉指状电极的公共端和叉指状电极的自由端均固定于氧化层上，以保证电极的机械强度。本发明采用聚酰亚胺作为湿度敏感介质，将衬底及其上方的氧化层腐蚀形成空腔，电容电极之间的湿度敏感介质的上方和下方均为空气，该传感器具有响应速度快，灵敏度高，衬底寄生小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 响应 cmos 相对湿度 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种快速响应的CMOS相对湿度传感器，其特征在于该传感器包括衬底(1)、氧化层(2)、第一电容电极(3)、第二电容电极(4)和湿度敏感介质(5)，氧化层(2)设在衬底(1)上，第一电容电极(3)、第二电容电极(4)设在氧化层(2)上，第一电容电极(3)和第二电容电极(4)由第一压焊块(33)和第二压焊块(43)分别引出，湿度敏感介质(5)设在第一电容电极(3)和第二电容电极(4)之间以及第一电容电极(3)和第二电容电极(4)上方，腐蚀衬底(1)及其上方的氧化层(2)，形成空腔(6)，使得第一电容电极(3)和第二电容电极(4)之间的湿度敏感介质(5)的下表面也与空气接触。
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