[发明专利]六角形硅片的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910183893.7 申请日: 2009-07-24
公开(公告)号: CN101643940A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 王兴龙 申请(专利权)人: 常州银河半导体有限公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C30B29/64;G03F7/20;G03F7/32;G03F7/40
代理公司: 常州市天龙专利事务所有限公司 代理人: 夏海初
地址: 213022江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明所公开的是一种六角形硅片的制造方法,以经过合金化处理的扩散片为加工对象,且依次包括如下步骤:上胶,光刻,显影,坚膜,酸腐蚀,清洗,剥离;以其所述光刻步骤所采用的基准板,是具有六角形蜂窝状图纹的基准板,且其具有六角形蜂窝状图纹区的边缘,与所述扩散片的边缘之间保持距离;所述光刻步骤,是将扩散片布置在2块经校整重合其六角形蜂窝状图纹的基准板之间,所实施的双面同步光刻为主要特征。本发明具有产成品成型正确,生产成本低、原料硅片利用率高等特点。
搜索关键词: 六角形 硅片 制造 方法
【主权项】:
1、一种六角形硅片的制造方法,以经过合金化处理的扩散片为加工对象,且依次包括如下步骤:上胶,光刻,显影,坚膜,酸腐蚀,清洗,剥离;其特征在于:a、所述光刻步骤所采用的基准板,是具有六角形蜂窝状图纹的基准板,且其具有六角形蜂窝状图纹区的边缘,与所述扩散片的边缘之间保持距离;b、所述光刻步骤,是将所述扩散片布置在2块经校整重合其六角形蜂窝状图纹的基准板之间,所实施的双面同步光刻。
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