[发明专利]Yb掺杂的钇、钪、钆、镧硅酸盐混晶和硅酸镧晶体及其熔体法生长方法无效

专利信息
申请号: 200910185152.2 申请日: 2009-09-30
公开(公告)号: CN101671845A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 张庆礼;殷绍唐;丁丽华;周文龙;刘文鹏;罗建乔;谷长江;李为民;秦青海 申请(专利权)人: 中国科学院安徽光学精密机械研究所
主分类号: C30B29/34 分类号: C30B29/34;C30B15/00;C30B11/00
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 代理人: 余成俊
地址: 230031安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种Yb离子掺杂的钇、钪、钆、镧硅酸盐混晶和硅酸镧晶体及其熔体法生长方法,其分子式为Yb2xRE2(1-x-y)RE′2ySiO5(0<x<1,0<y<1,0<x+y<2,RE、RE′=Gd、Y、Sc、La,且RE2(1-x-y)RE′2y≠Gd2(1-x-y)Y′2y)、Yb2xLa2(1-x)SiO5(0<x<1),是将配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其他熔体法来进行定向或非定向生长。Yb2xRE2(1-x-y)RE′2ySiO5、Yb2xLa2(1-x)SiO5单晶可用作全固态超短脉冲激光器、可调谐激光器中的工作物质。
搜索关键词: yb 掺杂 硅酸盐 硅酸 晶体 及其 熔体法 生长 方法
【主权项】:
1、Yb掺杂的钇、钪、钆、镧硅酸盐混晶和硅酸镧晶体,其特征在于:化合物的分子式为:Yb2xRE2(1-x-y)RE′2ySiO5、Yb2xLa2(1-x)SiO5,其中,0<x<1,0<y<1,0<x+y<2,RE和RE′表示Gd、Y、Sc、La,且RE2(1-x-y)RE′2y≠Gd2(1-x-y)Y′2y。
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