[发明专利]高成品率圆片级封装MEMS器件的方法无效
| 申请号： | 200910185357.0 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101695993A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 尚金堂;张迪;徐超;陈波寅;柳俊文;唐洁影;黄庆安 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高成品率圆片级封装MEMS器件的方法，属于MEMS封装领域，方法包括以下步骤：第一步，在Si圆片上刻蚀形成特定图案阵列，再将上述Si圆片与Pyrex7740玻璃圆片在小于1Pa的气氛下进行阳极键合，使Pyrex7740玻璃圆片与上述特定图案阵列形成密封腔体，第二步，将上述键合好的圆片在一个大气压下加热至740℃～800℃，保温8～3min，冷却，获得所述玻璃微腔阵列，第三步，将上述圆片级玻璃微腔阵列与相应的载有MEMS器件阵列的硅圆片进行对准，再在特定气氛下键合，从而进行圆片级封装。本发明通过控制热成型温度和时间，消除了圆片边沿的凸起，因此大大增加了圆片级封装的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 成品率 圆片级 封装 mems 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种高成品率圆片级封装MEMS器件的方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，利用Si微加工工艺在Si圆片(1)上刻蚀形成特定图案阵列(2)，再将上述Si圆片与Pyrex7740玻璃圆片(3)在小于1Pa的气氛下进行阳极键合，阳极键合的压力为200N-800N，温度为400℃，电压为600V，使Pyrex7740玻璃圆片与上述特定图案阵列形成密封腔体(5)，第二步，将上述键合好的圆片在一个大气压下加热至740℃～800℃，保温8～3min，腔内外压力差使软化后的玻璃形成与上述微腔图案结构相应的微腔结构(4)，冷却，获得所述玻璃微腔阵列，第三步，将上述圆片级玻璃微腔阵列与相应的载有MEMS器件阵列的硅圆片进行对准，再在特定气氛下键合，从而进行圆片级封装。
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