[发明专利]用于193纳米波长光刻技术的抗反光涂层及其制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 200910185781.5 申请日: 2009-12-02
公开(公告)号: CN102051121A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 何流 申请(专利权)人: 合肥凯蒙新材料有限公司
主分类号: C09D183/06 分类号: C09D183/06;C09D183/08;C09D5/00;G03F7/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230088 安徽省合肥市合肥高新*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种用于193纳米波长光刻技术的抗反光涂层及其制备方法和应用。应用含在193纳米波长具有光吸收发色基团的硅烷前驱体,或将发色基团接枝到非发色性硅烷生成发色性硅烷前驱体,或将发色性聚合物与硅烷前驱体的溶胶混合生成发色混合物,通过溶胶-凝胶法制得溶胶母液,将该溶胶母液与交联剂、交联催化剂、表面活性剂混合,即配制得本发明的193纳米波长光刻技术的抗反光涂层,应用于硅片或其他介质上。
搜索关键词: 用于 193 纳米 波长 光刻 技术 反光 涂层 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种用于193纳米波长光刻技术的抗反光涂层,包括:溶胶母液、溶剂、交联剂、交联催化剂,其特征在于:所述溶胶母液由含193纳米波长发色基团的硅烷前驱体,或将193纳米波长发色基团接枝到非发色性硅烷上生成的发色性硅烷前驱体,或将发色性聚合物与非发色性溶胶混合物,通过溶胶‑凝胶法制备而成;其中:所述交联剂含量为溶胶母液溶质重量的5%‑35%,所述交联催化剂为溶胶母液溶质重量的0.1%‑5%。
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