[发明专利]一种高纯氮化硅的回收方法有效
| 申请号： | 200910186468.3 | 申请日： | 2009-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101698473A | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 胡动力;吕东;何亮 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000 江西省新余市高*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏或半导体领域中的一种氮化硅的回收方法，特别是一种高纯氮化硅的回收方法，回收得到的高纯氮化硅可以再次应用于多晶硅生产用坩埚涂层的制备或其他领域；采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其特征在于：将氮化硅原料经过化学溶液处理后得到高纯氮化硅；氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅50％-99.98％，二氧化硅、硅、金属等杂质0.02％-50％；不仅实现了高纯氮化硅的回收，还解决了固体废弃物的污染问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氮化 回收 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯氮化硅的回收方法，采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其特征在于：将氮化硅原料经过化学溶液处理后得到高纯氮化硅；氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅50％-99.98％，二氧化硅、硅、金属等杂质0.02％-50％。
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