[发明专利]一种单层高活性二氧化钛薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200910187565.4 | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102021551A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 成会明;王学文;刘岗;潘剑;李峰;逯高清 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C22/34 | 分类号： | C23C22/34 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及在不同基体上形成单层高活性(001)晶面占优二氧化钛薄膜的制备方法，具体为一种通过湿化学过程在金属钛或钛合金基底上生长由单层二氧化钛颗粒组成的(001)晶面占优二氧化钛薄膜的方法，解决(001)占优二氧化钛粉体很难形成(001)面全部位于表面以及很难形成致密结合紧密薄膜的问题。将基体上装入有氢氟酸水溶液的反应釜中，经100～200℃加热处理6h～24h，可得到单层(001)晶面占优的二氧化钛薄膜。单层(001)晶面二氧化钛薄膜由锐钛矿和金红石相组成，锐钛矿和金红石相的比例从95∶5到80∶20，厚度约为10～1000nm，(001)晶面比例可控，比例从20％到91％，该薄膜具有很好的光电化学分解水能力，也可望广泛和有效的应用于光催化器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层高 活性 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单层高活性二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于：首先，将表面含有金属钛或钛合金的基体上用无水乙醇和去离子水超声清洗后真空蒸干，得到表面无氧化层的前驱体；然后，将前驱体样品放入装有稀氢氟酸水溶液的反应釜中，反应釜密封后，放入烘箱加热处理，取出反应样品，用去离子水清洗并烘干，就可在基体表面生成由单层颗粒组成(001)晶面占优的二氧化钛薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理，例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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