[发明专利]一种硅材料基板及其构建方法无效
申请号: | 200910188336.4 | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN101704496A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 张会臣;李杰;庞连云 | 申请(专利权)人: | 大连海事大学 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 李洪福 |
地址: | 116026 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅材料基板及其构建方法,所述的硅材料基板包括硅基板、纹理层和成膜层,所述的纹理层在硅基板和成膜层之间,所述的纹理层具有微米-亚微米级的表面纹理结构,所述的纹理结构是点阵纹理、直线纹理或网格纹理。所述的构建方法包括通过激光加工在硅基板表面获得纹理层,通过自组装分子膜在纹理层上成膜来获得成膜层。由于本发明在硅基板表面采用激光方法加工表面纹理结构并利用自组装技术在激光加工后的表面进行自组装分子膜的成膜,使原本亲水性的硅基板表面接触角达到160°左右,成为具有超疏水性能的硅材料基板。本发明的工艺操作过程简单,工艺所需药品均易于获得,成本较低,且制备得到的硅基板疏水性能较为稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 材料 及其 构建 方法 | ||
【主权项】:
一种硅材料基板包括硅基板(1)、成膜层(3),其特征在于:还包括纹理层(2),所述的纹理层(2)在硅基板(1)和成膜层(3)之间。
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