[发明专利]一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法

摘要

本发明为解决化学水浴沉积得到的硫化镉薄膜表面常吸附有固体颗粒的技术问题，提供一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法，包括如下步骤：首先，将衬底浸入到T1＝75～90℃的0.1～0.5mol/L的氨水中，所述氨水含有二价镉的可溶性盐和铵盐，二价镉的可溶性盐浓度为0.001～0.01mol/L，铵盐浓度为0.01～0.1mol/L；然后，向上步得到的溶液中加入硫脲，使溶液中S2-的摩尔浓度与Cd2+的摩尔浓度满足[S2-]：[Cd2+]＝1～6，在T1＝75～90℃搅拌进行成膜反应，当体系从溶液变成胶体时，降温至T2＝55～70℃继续成膜反应，直到衬底上沉积的硫化镉薄膜的厚度达到预定值时，反应结束；取出沉积了硫化镉薄膜的衬底，清洗、干燥。本发明使面积1cm2的硫化镉薄膜表面平均吸附的颗粒个数小于2个。另外，本发明的方法得到的薄膜的均匀性和对基体的附着力也有改善。

主权项

化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法，包括如下步骤：首先，将衬底浸入到温度为T1＝75～90℃的浓度为0.1～0.5mol/L的氨水中，所述氨水含有二价镉的可溶性盐和铵盐，其中，二价镉的可溶性盐浓度为0.001～0.01mol/L，铵盐浓度为0.01～0.1mol/L；然后，向上步得到的溶液中加入硫脲，使溶液中S2‑的摩尔浓度与Cd2+的摩尔浓度满足[S2‑]：[Cd2+]＝1～6，在T1＝75～90℃搅拌进行成膜反应，当体系从溶液变成胶体时，降温至T2＝55～70℃继续成膜反应，直到衬底上沉积的硫化镉薄膜的厚度达到预定值时，反应结束；最后，取出沉积了硫化镉薄膜的衬底，并清洗、干燥。