[发明专利]晶圆缺陷的检测方法有效
| 申请号： | 200910188497.3 | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102087985A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 胡骏;刘志成;李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆缺陷的检测方法，包括如下步骤：将晶圆定位：获取晶圆的缺口的顶点，调整晶圆的位置使缺口移动到预定的位置和方向；扫描整个晶圆，获取并记录缺陷的位置：以所述顶点为参照建立坐标系，将缺陷的位置以坐标表示并记录；读取缺陷的位置，根据缺陷的位置找到对应的缺陷；复查缺陷，确定每个缺陷的类型，直到所有的缺陷处理完毕。在晶圆上以缺口的顶点为参照建立坐标系，可将缺陷的位置在晶圆上唯一确定，可以将扫描过程中记录的缺陷的位置用于复查过程，而不必要在扫描过程中边扫描边复查，提高了扫描效率，以及保障机台的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆缺陷的检测方法，包括如下步骤：将晶圆定位：获取晶圆的缺口的顶点，调整晶圆的位置使缺口移动到预定的位置和方向；扫描整个晶圆，获取并记录缺陷的位置：以所述顶点为参照建立坐标系，将缺陷的位置以坐标表示并记录；读取缺陷的位置，根据缺陷的位置找到对应的缺陷；复查缺陷，确定每个缺陷的类型，直到所有的缺陷处理完毕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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