[发明专利]硅外延膜厚测量方法及装置有效
| 申请号： | 200910188531.7 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102080949A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张元 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/06 | 分类号： | G01B7/06;G01B11/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种外延膜厚测量方法，采用两探头厚度量测设备对外延片外延前的厚度进行测量得到外延前外延片的厚度值，采用两探头厚度量测设备对相同外延片外延后的厚度进行测量得到外延后外延片的厚度值，用测量到的外延后外延片的厚度值减去测量到的外延前外延片的厚度值，计算差值得出外延膜厚。本发明对硅片衬底掺杂浓度无特殊要求，硅片的衬底无需采用重掺衬底，降低了部分工艺的成本，避免了重掺衬底中的杂质对外延腔体造成污染，消除了对后面的轻掺衬底轻掺外延工艺的影响，同时无需额外增加成本，并可与现有的外延层平整度测试流程兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 测量方法 装置 | ||
【主权项】：
一种外延膜厚测量方法，包括如下步骤：采用两探头厚度量测设备对外延片外延前的厚度进行测量得到外延前外延片的厚度值；采用两探头厚度量测设备对相同外延片外延后的厚度进行测量得到外延后外延片的厚度值；用测量到的外延后外延片的厚度值减去测量到的外延前外延片的厚度值，计算差值得出外延膜厚。
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