[发明专利]半导体制造方法有效
| 申请号： | 200910188534.0 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102082086A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 侯欢;王德进;张克云;刘福海 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体制造方法，首先对光刻胶显影区域上的富硅氧化物进行干法蚀刻；然后选用稀氟化氢溶液，对光刻板显影区域上的富硅氧化物剩余部分进行湿法蚀刻。本发明湿法蚀刻中采用蚀刻速率慢的稀氟化氢溶液对阻挡层光刻胶显影区域硅化物进行蚀刻，在蚀刻去掉阻挡层硅化物时不会在多晶层上产生坑状缺陷，从而解决栅氧化层完整性失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造方法，包括如下步骤：对光刻胶显影区域上的富硅氧化物进行干法蚀刻；选用稀氟化氢溶液，对光刻胶显影区域的富硅氧化物剩余部分进行湿法蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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