[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910188704.5 | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102088031A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吴孝嘉;罗泽煌;韩广涛 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种NLDMOS器件，包括浮置-P型结构，第一场氧区，第二场氧区，N型漂移区，第一场氧区和第二场氧区位于N型漂移区之上相对设置，所述浮置-P型结构位于N型漂移区的中部，所述的第一场氧区和第二场氧区不是连在一起，两者之间的有源区的宽度配合注入浮置-P型结构的长度。采用本发明的结构，不但可以提高半导体器件的击穿电压，而且有效地降低了导通电阻，同时减小了对高能注入的需求，降低了对工艺机台的限制，生产中容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | nldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种NLDMOS器件，包括浮置‑P型结构，第一场氧区，第二场氧区，N型漂移区，第一场氧区和第二场氧区位于N型漂移区之上相对设置，其特征在于：所述浮置‑P型结构位于N型漂移区的中部沿着N型漂移区的沟道方向，所述的第一场氧区和第二场氧区之间的有源区的宽度不小于浮置‑P型结构的长度，浮置‑P型在N型漂移区的中部。
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