[发明专利]具有改进终端的IGBT有效
| 申请号： | 200910189824.7 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102005473A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 贾容本;吴海平 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/12;H01L29/38;H01L29/08;H01L29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有改进终端的IGBT，包括元胞区和环绕于所述元胞区的终端区，所述IGBT的背面具有IGBT集电极区，所述IGBT集电极区与第一导电类型的IGBT漂移区连接且位于所述IGBT漂移区的下面，所述IGBT集电极区包括元胞集电极区和终端集电极区，所述元胞集电极区具有第二导电类型半导体，其中，所述终端集电极区具有第一导电类型半导体。本发明的终端集电极区具有第一导电类型的半导体，因此，就减少了终端集电极区向IGBT漂移区注入第二导电类型载流子的数量，减少了关断时IGBT漂移区中第一导电类型载流子和第二导电类型载流子的复合时间以及复合数量，降低了拖尾电流和关断能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 终端 igbt | ||
【主权项】：
一种具有改进终端的IGBT，包括元胞区和环绕于所述元胞区的终端区，所述IGBT的背面具有IGBT集电极区，所述IGBT集电极区与第一导电类型的IGBT漂移区连接且位于所述IGBT漂移区的下面，所述IGBT集电极区包括元胞集电极区和终端集电极区，所述元胞集电极区具有第二导电类型半导体，其特征在于，所述终端集电极区具有第一导电类型半导体。
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