[发明专利]浅结互补双极晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种浅结互补双极晶体管的制造方法。本发明方法的主要工艺步骤为：1)通过硅/硅键合、减薄抛光方法形成SOI材料片；2)在所述SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的深槽介质隔离加浅隔离墙方法，结合具有浅结多晶硅发射极的纵向NPN管与纵向PNP管兼容的互补双极工艺，制作所述浅结互补双极晶体管。本发明方法提高了互补双极晶体管的耐压(BV_CEO＞5.0V)和厄利电压，同时也兼顾了其特征频率。本发明实现了大幅降低隔离结的漏电流，其浅结互补双极晶体管的漏电流小于10^-12A。它广泛应用于高速互补双极工艺制造领域。

主权项

1.一种浅结互补双极晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括：(1)通过硅/硅键合、减薄抛光方法形成SOI材料片的步骤，其步骤包括对P型硅衬底片清洗；氧化，形成600±50nm厚的SiO2层；清洗；与未经氧化的另一硅片进行常温硅/硅键合；在氮气保护下，经450℃处理1小时、850℃处理1小时、1200℃处理3小时的高温退火；减薄抛光，形成3～5μm厚硅膜的P-型SOI材料片；(2)在所述SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的深槽介质隔离加浅隔离墙方法，结合具有浅结多晶硅发射极的纵向NPN管与纵向PNP管兼容的互补双极工艺制作所述浅结互补双极晶体管的步骤，其步骤包括：(1)在所述SOI材料片上制作N+埋层和NWELL埋层；(2)在形成N+埋层和NWELL埋层后的所述SOI材料片上制作P+埋层；(3)在形成P+埋层后的所述SOI材料片上制作N-超薄外延层；(4)在形成N-超薄外延层后的所述SOI材料片上制作介质隔离区；(5)在形成介质隔离区后的所述SOI材料片上制作浅隔离墙；(6)在形成浅隔离墙后的所述SOI材料片上制作纵向NPN管的N+穿透区和纵向PNP管的P+穿透区、下集电区；(7)在形成纵向NPN管的N+穿透区和纵向PNP管的P+穿透区、下集电区后的所述SOI材料片上制作纵向NPN管的基区、高硼接触区和纵向PNP管的基区；(8)在形成纵向NPN管的基区、高硼接触区和纵向PNP管的基区后的所述SOI材料片上制作纵向NPN管的发射区、集电区和纵向PNP管的发射区、集电区；(9)在形成纵向NPN管的发射区、集电区和纵向PNP管的发射区、集电区后的所述SOI材料片上制作金属薄膜电阻和金属引线、钝化层。