[发明专利]单片集成压力传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200910191568.5 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101719482A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张正元;梅勇;冯志成;李建根;李小刚;徐勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;G01L1/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成压力传感器的制造方法。本发明方法克服了电阻式压力传感器与放大处理电路加工工艺兼容的问题，将电阻式压力传感器加工工艺与放大处理电路的加工工艺结合起来，利用专用的夹具保护了正面的集成电路和压敏电阻，同时也腐蚀出了压敏电阻下面的深槽，使压敏电阻成功地制作在可动的硅薄膜上，解决了压力传感器与电路加工工艺兼容的技术难题，实现了压力传感器与电路的单片集成。本发明方法适用于小型化、高可靠的压力传感器加工领域。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 压力传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单片集成压力传感器的制造方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：(1)在P型硅衬底片上，制作双极模拟集成电路和压敏电阻用的P型硅衬底；(2)在所述双极模拟集成电路和压敏电阻用的P型硅衬底上进行N-外延工艺，在所述N-外延层上制作双极集成电路与传感器的压敏电阻；(3)采用专用的腐蚀夹具，对所述已经做出了双极集成电路与传感器的压敏电阻的硅片的背面进行腐蚀、再进行硅玻璃键合，实现单片集成的压力传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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