[发明专利]一种多孔氧化钨薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200910192095.0 | 申请日： | 2009-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101660124A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 徐刚;黄志峰;黄春明;徐雪青;苗蕾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院广州能源研究所 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58;C23F1/02;C23F1/36 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 莫瑶江 |
| 地址： | 510640广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多孔氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：采用钨靶、铝靶双靶磁控共溅射的工艺把钨、铝沉积在基片上，形成钨-铝合金薄膜；把所得到的钨-铝合金薄膜浸入碱性溶液中进行选择性腐蚀氧化，最后在基片上得到了多孔氧化钨薄膜。该方法制得的多孔氧化钨薄膜孔径分布均匀，孔径平均大小为100nm左右。本发明具有下列明显先进性和独创性：制备简单，工艺参数容易控制，孔隙度及孔径大小可控，孔径分布均匀。其产品结构和性质非常适用于制作电致变色器件和气敏器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 氧化钨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多孔氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将清洗好的衬底基片放入磁控溅射系统的溅射室，采用高纯钨靶和铝靶作为溅射靶材，将溅射室本底真空抽至10-3Pa以下，基片温度设定在室温至300℃；(2)向溅射室通入工作气体，调整工作气压，设定钨靶和铝靶电源的溅射功率，以双靶共溅射的方式在衬底基片上镀膜；(3)溅射结束后在基片上得到银伯色的钨-铝合金薄膜；(4)把钨-铝合金薄膜浸入碱性溶液中腐蚀氧化，去除金属铝，在基片上得到多孔氧化钨薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院广州能源研究所，未经中国科学院广州能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910192095.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种柔性带材真空溅射预抽空处理设备
- 下一篇：从存储器存储和访问头数据的方法
- 同类专利
- 专利分类
