[发明专利]一种新型ESD保护的设计方法有效
| 申请号： | 200910192980.9 | 申请日： | 2009-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101692425A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 揭英亮;朱志牛;陈素鹏;刘鹏飞 | 申请（专利权）人： | 广东省粤晶高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 王玺建 |
| 地址： | 510663 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型ESD保护的设计方法，包括以下步骤：(1)在DMOS器件的硅衬底上依次形成井区、栅极氧化层、栅极多晶硅、孔介质层、源极和栅极；(2)在上述源极和栅极的引线孔下形成栅极多晶硅；(3)在上述栅极多晶硅与井区之间形成栅极氧化层，用于使源极和栅极的引线孔打在栅极多晶硅的位置时，通过栅极氧化层将源极和栅极隔离。本发明的显著特点在于可实现利用同一套MASK，通过选择是否增加ESD层的光刻和工艺，既可以生产加ESD的产品，也可生产不加ESD的产品，从而节省MASK成本，大大节省产品的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 esd 保护 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种新型ESD保护的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在DMOS器件的硅衬底上依次形成井区、栅极氧化层、栅极多晶硅、孔介质层、源极和栅极；(2)在上述源极和栅极的引线孔下形成栅极多晶硅；(3)在上述栅极多晶硅与井区之间形成栅极氧化层，用于使源极和栅极的引线孔打在栅极多晶硅的位置时，通过栅极氧化层将源极和栅极隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
