[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200910194779.4 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102005476A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法，其中，所述功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括：具有第一导电类型的衬底；位于所述衬底上、具有第一导电类型且浓度低于衬底掺杂浓度的外延层；位于所述外延层上、具有第二导电类型的体区；位于所述体区上、具有高掺杂浓度的第一导电类型的源区；穿过所述源区和所述体区、到达所述外延层的栅极以及其表面的栅绝缘层；穿过所述源区且到达所述体区的接触孔，其中，所述接触孔的底部形成向内凹陷部，在且仅在所述向内凹陷部的外侧表面具有第二导电类型的重掺杂区。本发明通过使所采用的接触孔结构具有垂直侧壁以及向内凹陷的底部，减轻甚至避免雪崩击穿，进而提高了产品稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：具有第一导电类型的衬底；位于所述衬底上、具有第一导电类型且浓度低于衬底掺杂浓度的外延层；位于所述外延层上、具有第二导电类型的体区；位于所述体区上、具有高掺杂浓度的第一导电类型的源区；穿过所述源区和所述体区、到达所述外延层的栅极以及其表面的栅绝缘层；穿过所述源区且到达所述体区的接触孔；其特征在于，所述接触孔的底部形成向内凹陷部，在且仅在所述向内凹陷部的外侧表面具有第二导电类型的重掺杂区。
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