[发明专利]失效检测方法以及失效检测装置有效
申请号: | 200910194791.5 | 申请日: | 2009-08-28 |
公开(公告)号: | CN102005400A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 龚斌;郭强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00;G01R31/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种失效检测方法以及失效检测装置,用于检测两个待测导电体之间的桥接缺陷,所述方法包括:在两个待测导电体上各设置一个输出端,且所述两个输出端电势位相等;向任一所述待测导电体上沿预定路径排列的检测点依次输入恒定的检测电流;检测两个输出端的输出电流,基于各检测点的位置信息以及两个输出端的输出电流信息,建立输出端的输出电流与检测点位置之间的对应关系;据所述对应关系判定检测点是否存在缺陷。本发明能有效检测并定位半导体器件中的金属互连线之间的桥接缺陷,并提升缺陷定位的灵敏度和精度。 | ||
搜索关键词: | 失效 检测 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种失效检测方法,用于检测两个待测导电体之间的桥接缺陷,其特征在于,包括以下步骤:在两个待测导电体上各设置一个输出端,且所述两个输出端电势位相等;向任一所述待测导电体上沿预定路径排列的检测点依次输入恒定的检测电流;检测所述两个输出端的输出电流,基于各检测点的位置信息以及所述两个输出端的输出电流信息,建立输出端的输出结果与检测点位置之间的对应关系;根据所述对应关系判定检测点是否存在缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910194791.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基岛露出芯片正装倒T型散热块全包覆封装结构
- 下一篇:键盘
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造