[发明专利]一种GaN基发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910194799.1 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102005512A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李刚;刘慰华;丁成;张义颖 | 申请（专利权）人： | 上海蓝宝光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;吕静姝 |
| 地址： | 201616*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种GaN基发光二极管及其制造方法，其中，这种GaN基发光二极管的制造方法包括：在衬底上依次形成本征氮化镓层、n型氮化镓层、n型氮化镓铟层、发光层、p型氮化镓铝层和第一p型氮化镓层，该方法还包括：在第一p型氮化镓层上形成异质预处理层；和在异质预处理层上形成第二p型氮化镓层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管的制造方法，该方法包括：在衬底上依次形成本征氮化镓层、n型氮化镓层、n型氮化镓铟层、发光层、p型氮化镓铝层和第一p型氮化镓层，其特征在于，该方法还包括：在所述第一p型氮化镓层上形成异质预处理层；和在所述异质预处理层上形成第二p型氮化镓层。
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