[发明专利]一种纳米复合相变材料及其制备与应用有效
| 申请号： | 200910195481.5 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101660118A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 宋三年;宋志棠;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/38;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种纳米复合相变薄膜及其制备与应用。本发明的纳米复合相变材料用HfO2与相变材料复合而成，其中，HfO2的重量百分比为12-36％，相变材料的重量百分比为64-88％。本发明的纳米复合相变薄膜应用到存储器中，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 相变 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米复合相变材料，该纳米复合相变材料是用HfO2与相变材料复合而成，其中，HfO2的重量百分比为12-36％，相变材料的重量百分比为64-88％。
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