[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200910195721.1 | 申请日： | 2009-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102024852A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张羿;楼均辉;陈科;刘红君 | 申请（专利权）人： | 上海广电电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 201204 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法，属于平板显示领域。氧化物薄膜晶体管采用底栅共面型结构，有源层为氧化物半导体，采用曝光湿刻的方法形成图形。其中有源层因处于结构的最上层且会被脱膜液破坏，所以有源层的刻蚀工艺去掉了最后的脱膜工艺。本发明与现有的包含脱膜工艺的湿刻工艺相比，具有不破坏氧化物有源层的特点，保证了氧化物薄膜晶体管的性能，增加了薄膜晶体管制作工艺的合格率，降低了成本。本发明的氧化物薄膜晶体管适用于主动式有机电致发光和超大尺寸的液晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，其结构为玻璃层(1)、栅电极(2)、绝缘介质层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、有源层(6)及光刻胶(7)组成，所述的栅电极(2)设置在玻璃层(1)上，绝缘介质层(3)在栅电极(2)的上部，绝缘介质层(3)的两侧有源电极(4)和漏电极(5)，有源层(6)设置在绝缘介质层(3)的上部，有源层(6)上边有光刻胶(7)；其中所述薄膜晶体管玻璃层(1)为厚度为0.7mm的玻璃，所述的栅电极(2)的材料为Cr，厚度为200nm，所述的绝缘介质层(3)的材料为Al2O3，绝缘介子层的厚度为400nm，所述的源电极(4)和漏电极(5)的材料为Ni，厚度均为200nm，其特征在于所述的有源层(6)的材料为氧化物半导体，有源层(6)的厚度为40nm。
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