[发明专利]基于双稳态升频结构的MEMS宽频压电能量采集器无效
申请号: | 200910195782.8 | 申请日: | 2009-09-17 |
公开(公告)号: | CN101656493A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 刘景全;唐刚;杨春生;芮岳峰;闫肖肖 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H02N2/18 | 分类号: | H02N2/18 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种电器技术领域的基于双稳态升频结构的MEMS宽频压电能量采集器,包括:框架,设于框架内的双稳态梁、压电悬臂梁、永磁铁、软磁铁,其特征在于,双稳态梁的两端均固定于框架上,永磁铁附着于双稳态梁上,压电悬臂梁的一端固定于框架上,软磁铁设置于压电悬臂梁上。本发明采用双稳态升频结构,使压电换能元件在低频振动环境下获得较大的输出功率,与现有的MEMS压电能量采集器相比,它不但结构简单,制作容易,体积减小,并且它可运行于低频环境中,且可在较宽的环境振动频率范围内输出稳定的功率。 | ||
搜索关键词: | 基于 双稳态 结构 mems 宽频 压电 能量 采集 | ||
【主权项】:
1、一种基于双稳态升频结构的MEMS宽频压电能量采集器,包括:框架和设于框架内的双稳态梁、压电悬臂梁、永磁铁、软磁铁,其特征在于,双稳态梁的两端均固定于框架上,永磁铁附着于双稳态梁上,压电悬臂梁的一端固定于框架上,软磁铁设置于压电悬臂梁上。
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