[发明专利]一种图像传感器及用于形成图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200910195837.5 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102024830A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘丽丽;杜学东;韦磊;曹建发;肖春光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/374 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中形成光敏器件，该光敏器件包括光敏区域；在该光敏区域上形成遮蔽层，所述遮蔽层用于阻止在所述光敏区域之上形成硅化物，所述遮蔽层为硅氧化物，所述遮蔽层具有范围在1.51至1.55之间的折射率。本发明提供的用于形成图像传感器的方法在图像传感器的光敏器件上淀积高折射率的遮蔽层，使入射在遮蔽层上的光子的折射角度位于光敏器件的光敏区域之内，从而增加了入射在光敏器件上的光子数量，提高了光敏器件的光电能量转换效率，改善了图像传感器的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中形成光敏器件，所述光敏器件包括光敏区域；在所述光敏区域上形成遮蔽层，所述遮蔽层用于阻止在所述光敏区域之上形成硅化物，所述遮蔽层为硅氧化物，所述遮蔽层具有范围在1.51至1.55之间的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
