[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200910195849.8 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101661988A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;张楠;袁根如;潘尧波;李士涛;陈诚;刘亚柱 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管芯片，包括：生长衬底、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、N电极、P电极，芯片侧壁被粗化形成微结构。一种发光二极管芯片的制造方法，包括：对生长衬底刻蚀或激光划片形成沟道；生长外延形成长沟道；腐蚀长沟道侧壁的步骤。一种发光二极管芯片，包括：P电极层、转移衬底层、反射镜层、电流扩散层、P型GaN层、量子阱层、N型GaN层及N电极，芯片侧壁被粗化形成微结构。一种发光二极管芯片的制作方法，包括：包括对生长衬底刻蚀形成走道；生长外延形成长沟道；腐蚀长沟道侧壁的步骤。具有侧壁微观结构的芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片高20％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管芯片，包括生长衬底、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、N电极及P电极，其特征在于：芯片侧壁被粗化，在芯片的侧壁形成微结构。
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