[发明专利]化学机械研磨工艺的优化方法有效
| 申请号： | 200910195857.2 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102019577A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 胡宗福 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;G01N1/28;H01L21/768;H01L21/762;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械研磨工艺的优化方法，该方法包括：A、提供一实验样品，并按照当前的化学机械研磨CMP工艺参数对实验样品进行CMP工艺后，采用等离子体增强化学气相沉积PE-CVD工艺在实验样品表面形成氮化硅SiN；B、采用离子束沉积工艺在SiN的表面形成金属钨，然后按照冠状方向对实验样品进行切割，并获取实验样品的纵截面；C、采用透射电子显微镜TEM测量实验样品的纵截面中实验样品的参数，如果实验样品的参数不满足工艺标准，则调整当前的CMP工艺参数，并执行步骤A；如果实验样品的参数满足工艺标准，则结束流程。采用该方法能够对CMP工艺进行优化。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 工艺 优化 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨工艺的优化方法，该方法包括：A、提供一实验样品，并按照当前的化学机械研磨CMP工艺参数对实验样品进行CMP工艺后，采用等离子体增强化学气相沉积PE‑CVD工艺在实验样品表面形成氮化硅SiN；B、采用离子束沉积工艺在SiN的表面形成金属钨，然后按照冠状方向对实验样品进行切割，并获取实验样品的纵截面；C、采用透射电子显微镜TEM测量实验样品的纵截面中实验样品的参数，如果实验样品的参数不满足工艺标准，则调整当前的CMP工艺参数，并执行步骤A；如果实验样品的参数满足工艺标准，则结束流程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910195857.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可升降的移动式磁铁组
- 下一篇：玻璃钢化炉离合器机构
