[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910195865.7 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102024849A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括硅基底，以及由被掺杂的硅锗聚合物构成的源极和漏极，所述硅基底和源极之间，以及硅基底和漏极之间包括由锗等离子体注入形成的缓冲层。本发明还公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法。本发明可以有效避免由于硅锗聚合物层应力松弛造成的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括硅基底，以及由被掺杂的硅锗聚合物构成的源极和漏极，其特征在于，所述硅基底和源极之间，以及硅基底和漏极之间包括由锗等离子体注入形成的缓冲层。
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