[发明专利]一种ESD保护装置有效
| 申请号： | 200910195956.0 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102025135A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 单毅;何军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H9/04;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种ESD保护装置，所述装置为多指MOS保护装置，包括：矩阵式排列的多个增强型MOS管；MOS管的源极和栅极接地；每个MOS管的寄生三极管的基极通过基极电阻接地；多指形金属层，金属层覆盖每一列MOS管的漏极并与漏极相邻的两列栅极交叠，金属层连接PAD并与漏极连接；金属层与栅极交叠形成寄生电容。本发明的ESD保护装置，在出现ESD脉冲时，寄生电容将栅极电压耦合到一个非零电位，产生足够的漏电流，使ESD保护装置的寄生三极管同时导通放电，降低了导通电压，导通均匀性好，ESD保护能力得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esd 保护装置 | ||
【主权项】：
一种ESD保护装置，其特征在于，所述装置为位于P阱中的多指NMOS保护装置，所述装置包括：矩阵式排列的多个增强型NMOS管；所述NMOS管的源极和栅极接地；每个所述NMOS管的寄生NPN管的基极通过基极电阻接地；多指形金属层，所述金属层覆盖每一列所述NMOS管的漏极并与所述漏极相邻的两列栅极交叠，所述金属层连接PAD并与所述漏极连接；所述金属层与所述栅极交叠形成寄生电容；当PAD上出现正的ESD脉冲时，所述寄生电容将栅极电压耦合到正电位，增大漏极到P阱的漏电流，提高寄生NPN管基极和发射极的压降，促进寄生NPN管的基极和发射极正偏，使所述寄生NPN管同时导通放电。
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