[发明专利]一种溶液浓度的监测方法无效
| 申请号： | 200910196114.7 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102023200A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘卫;魏广生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种溶液浓度的监测方法，利用所述溶液浓度范围一定时，多晶硅控片与所述溶液的反应速率稳定的特点，通过监测多晶硅控片的反应速率来监测溶液的浓度。本发明的溶液浓度监测方法较现有技术中的方法大大降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溶液 浓度 监测 方法 | ||
【主权项】：
一种溶液浓度的监测方法，所述溶液中包含氨水、过氧水和去离子水，所述溶液的监测方法包括：提供所述溶液；提供至少一片多晶硅控片，并测量所述多晶硅控片的多晶硅层厚度，得到所述多晶硅层的第一厚度；将所述多晶硅控片在所述溶液中浸泡第一时间；取出所述多晶硅控片，测量所述多晶硅层厚度，得到所述多晶硅层的第二厚度，所述多晶硅层的第一厚度减去所述多晶硅层的第二厚度后再除以第一时间，得到所述多晶硅层的第一刻蚀速率，判断所述第一刻蚀速率是否超出刻蚀速率预定范围，如果所述第一刻蚀速率超出刻蚀速率预定范围，则判断所述溶液的浓度超出标准，如果所述第一刻蚀速率未超出刻蚀速率预定范围，则判断所述溶液的浓度未超出标准。
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