[发明专利]用于将晶片移出化学机械抛光设备研磨头的方法有效
申请号: | 200910196265.2 | 申请日: | 2009-09-22 |
公开(公告)号: | CN102019578A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 黄子伦;刘传波 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B29/02;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;顾珊 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于将晶片移出化学机械抛光设备研磨头的方法,所述化学机械抛光设备包含研磨头和研磨头载入载出平台,将要被移出研磨头的晶片吸附在所述研磨头的下表面上,所述方法包括:由研磨头沿与要被移出的晶片表面垂直的方向,向晶片的中心区域施加第一压力;将所述掩模头的压力调平;再次沿与要被移出的晶片表面垂直的方向,向晶片的中心区域施加第二压力。根据本发明的方法,可以减少晶片由于头部施加过大的压力而发生断裂的几率,从而提高生产工艺的良品率。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶片 移出 化学 机械抛光 设备 研磨 方法 | ||
【主权项】:
一种用于将晶片移出化学机械抛光设备研磨头的方法,所述化学机械抛光设备包含研磨头和研磨头载入载出平台,将要被移出所述研磨头的晶片吸附在所述研磨头的下表面上,其特征在于,所述方法包括:a.由所述研磨头沿与要被移出的晶片表面垂直的方向,向晶片的中心区域施加第一压力;b.将所述研磨头的压力调平;c.再次沿与要被移出的晶片表面垂直的方向,向晶片的中心区域施加第二压力。
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