[发明专利]一种混合纳米晶存储器的电容结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200910196300.0 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101692463A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;苟鸿雁 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种纳米晶体存储器的电容及其制备方法。该电容器以P型单晶硅为衬底，其上依次为Al2O3隧穿层、钌和氧化钌混合纳米晶、Al2O3阻挡层和钯电极层。其中，Al2O3层采用原子层淀积方法制备，混合纳米晶先由磁控溅射沉积金属钌层，再在氮气和痕量氧气组成的混合气氛中经快速热退火后形成，钯电极层采用lift-off方法形成。本发明的存储器电容结构具有编程和擦除特性好、电荷保持时间长等优良特性，在快闪存储器上具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 纳米 存储器 电容 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种混合纳米晶存储器的电容，以P型单晶硅片为衬底层，其特征在于其上依序为：1)由原子层淀积方法生长的Al2O3纳米薄膜，作为电荷隧穿层，薄膜厚度为5～10纳米；2)由初始厚度为1-4纳米的钌层形成的钌和氧化钌混合纳米晶层；3)由原子层淀积方法生长的Al2O3薄膜，薄膜厚度为15～40纳米，进行高温热处理后，作为阻挡层；4)由lift-off方法形成的栅电极层，栅电极层厚度为50～200纳米，材料为金属钯。
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