[发明专利]气相外延工艺中的掺杂方法及其装置无效
| 申请号： | 200910196421.5 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101665978A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 张育民;王建峰;任国强;徐科 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 215125江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种气相外延工艺中的掺杂方法，包括如下步骤：提供含有卤素元素的气体和由III族金属与掺杂元素构成的混合物；加热III族金属与掺杂元素构成的混合物；将含有卤素元素的气体通过加热后的混合物表面，以生成混有III族金属元素卤化物与掺杂元素卤化物的混合气体；将所述混合气体通入反应室，进行III-V族半导体材料的外延生长。本发明进一步提供了另一种掺杂方法以及相应的两种掺杂装置。本发明的优点在于，采用由III族金属与掺杂元素构成的混合物与含有卤族元素的气体反应以生成混合物，克服了氢化物容易分解的缺点，能够在III-V族化合物中实现稳定的掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 工艺 中的 掺杂 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种气相外延工艺中的掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：提供含有卤素元素的气体和由III族金属与掺杂元素构成的混合物；加热III族金属与掺杂元素构成的混合物；将含有卤素元素的气体通过加热后的混合物表面，以生成混有III族金属元素卤化物与掺杂元素卤化物的混合气体；将所述混合气体通入反应室，进行III-V族半导体材料的外延生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州纳维科技有限公司，未经苏州纳维科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910196421.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
