[发明专利]TFT阵列结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910196482.1 申请日: 2009-09-22
公开(公告)号: CN102023439A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 黄贤军 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/82;G03F7/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201201 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种TFT阵列结构及其制造方法,其中TFT阵列结构包括:基板;栅电极金属层、栅电极绝缘层、半导体层和欧姆接触层;第一绝缘层;源电极金属层和漏电极金属层以及二者之间的沟道;覆盖所述栅电极绝缘层并通过过孔与所述漏电极金属层连接的像素电极;像素电极与所述栅电极金属层构成存储电容的两极,所述存储电容的存储介质为单层结构或二层结构,可以比现有技术中的存储电容具有更大的电容存储能力。
搜索关键词: tft 阵列 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种TFT阵列结构,包括:基板,所述基板具有第一区域和第二区域;第一绝缘层,覆盖所述基板上除第一区域和第二区域之外的区域;薄膜晶体管结构,包括位于所述第一区域上的栅电极金属层、栅电极绝缘层和半导体层,以及位于所述半导体层和第一绝缘层之上的源电极金属层和漏电极金属层;所述源电极金属层和漏电极金属层之间具有位于第一区域上的沟道;位于所述第二区域上的栅电极金属层和栅电极绝缘层;其特征在于,还包括:第二绝缘层,覆盖所述源电极金属层、沟道、漏电极金属层和所述第二区域的栅电极绝缘层;像素电极,覆盖所述第二绝缘层,并与所述漏电极金属层连接;所述像素电极和所述栅电极金属层在第二区域上构成存储电容的两极,所述存储电容的存储介质仅包括栅电极绝缘层和第二绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910196482.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top