[发明专利]光罩清洗方法有效
申请号: | 200910196549.1 | 申请日: | 2009-09-27 |
公开(公告)号: | CN102033416A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 李德建 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;B08B7/04;F26B5/08 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 谢安昆;宋志强 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种光罩清洗方法,当拆掉光罩上的光罩保护膜后,该方法包括:在光罩上的光罩保护膜粘贴区域均匀喷洒指定溶液,并对喷洒有指定溶液的区域进行单方向擦拭,当目测光罩上不存在残胶时,停止擦拭;依次利用臭氧水、去离子水、SC-1溶液和去离子水对光罩进行清洗;对清洗后的光罩进行干燥处理。应用本发明所述的方案,能够较好地去除光罩上的残胶。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种光罩清洗方法,当拆掉光罩上的光罩保护膜后,该方法包括:在光罩上的光罩保护膜粘贴区域均匀喷洒指定溶液,并对喷洒有指定溶液的区域进行单方向擦拭,当目测光罩上不存在残胶时,停止擦拭;依次利用臭氧水、去离子水、SC‑1溶液和去离子水对光罩进行清洗;对清洗后的光罩进行干燥处理。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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