[发明专利]一种提高GaN基LED发光效率的图形掩埋方法无效
| 申请号： | 200910196620.6 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102034907A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;周均铭;林翔;纪红霞;万春艳;夏峰;刘华 | 申请（专利权）人： | 上海宇体光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种图形掩埋方法和利用该方法提高GaN基LED发光效率的方法。该方法包括：利用具有规则分布的图案的掩模，在GaN薄层上进行选择性刻蚀，形成具有规则分布的凹槽，再通过控制GaN外延生长中的侧向生长速度，将凹槽掩埋在GaN外延层中并形成空洞。在这种具有规则分布的掩埋式空洞的GaN模板上生长LED结构，其发光效率可以得到有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan led 发光 效率 图形 掩埋 方法 | ||
【主权项】：
一种提高发光二极管发光效率的图形掩埋方法，其特征在于包括如下步骤：在衬底上生长一层GaN薄层；在所述GaN薄层上形成具有规则分布的图案的掩膜层；以所述具有规则分布的图案的掩膜层为掩膜；蚀刻所述GaN薄层，并在所述GaN薄层中形成凹槽。在所述GaN凹槽底部形成一层非晶薄膜；去除所述GaN薄层之上的掩膜层，生长GaN外延层，所述GaN外延层在所述GaN凹槽中具有空洞。
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