[发明专利]一种抛光的方法无效
| 申请号： | 200910196718.1 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102034699A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 曾明;蒋昆坤 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种抛光方法，包括如下步骤：将表面具有氧化硅层的晶圆浸入氨水、双氧水和去离子水的混合溶液之中；取出晶圆并清洗其表面；抛光所述清洗完毕的晶圆表面。氨水中的羟基和晶圆表面的氧化硅反应生成溶于水的SiO3H-离子，上述反应减少了表面的杂质颗粒和产品表面的接触牢固程度。并且该化学反应同时还使产品表面和杂质颗粒都带负电，由于电性相同，杂质颗粒受到一个排斥力。本发明的优点在于，在晶圆表面为氧化硅层的情况下，采用氨水、双氧水和去离子水的混合溶液作为清洗液清洗晶圆的表面，能够利用混合溶液中的羟基离子与氧化硅的反应去除表面的杂质颗粒，且不对晶圆的表面产生任何损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：将表面具有氧化硅层的晶圆浸入氨水、双氧水和去离子水的混合溶液之中；取出晶圆并清洗其表面；抛光所述清洗完毕的晶圆表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
