[发明专利]化学机械研磨的方法和金属互连层的形成方法无效
| 申请号： | 200910196898.3 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102034738A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张斐尧;李强;彭凌剑;闫大鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械研磨的方法，包括：提供晶片，所述晶片表面具有金属层；减少去离子水喷雾与所述晶片表面发生的反应；对所述晶片表面进行研磨，以去除所述金属层的多余部分。相应的，本发明还提供一种金属互连层的形成方法。所述化学机械研磨方法和金属互连层的形成方法，在对晶片表面进行研磨之前，由于采取了减少去离子水喷雾与所述晶片表面发生的反应的步骤，从而能够避免去离子水沾染在晶片表面的金属层上，防止因去离子水与金属层反应而生成氧化物，因此，基本上可以消除CMP工艺之后晶片表面的凹坑或斑点等缺陷，保证集成电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 金属 互连 形成 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨的方法，其特征在于，包括：提供晶片，所述晶片表面具有金属层；减少去离子水喷雾与所述晶片表面发生的反应；对所述晶片表面进行研磨，以去除所述金属层的多余部分。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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