[发明专利]二氧化锡电极电阻率的测试装置及测试方法无效
| 申请号： | 200910197040.9 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101692111A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 唐景平;金春荣;胡丽丽;蒋亚丝;陈树彬;王标 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种二氧化锡电极电阻率的测试装置及测试方法，该装置包括待测样品及电极，温控加热炉、测量表，屏蔽机构和电源，本发明不仅能对电阻率较低(＜103Ω·m)的二氧化锡电极等半导体材料的高温电阻率(室温～1400℃)进行测量，也能对电阻率较低的其它半导体材料(＜103Ω·m)进行室温到高温(室温～1400℃)的电阻率测量。本发明结构简单，具有较高的可靠性和测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 电极 电阻率 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化锡电极电阻率的测试装置，其特征在于该装置包括待测样品及电极(1)，温控加热炉(2)、测量表(3)，屏蔽机构(4)和电源(5)，其连接关系如下：所述的待测样品及电极(1)，包括待测样品(105)，该待测样品(105)的两端分别设置第一通电电极(101)和第二通电电极(102)，该待测样品(105)的中间测量段分别设置第一测试电极(103)和第二测试电极(104)；所述的温控加热炉(2)由温度控制器(201)和硅碳棒加热炉(202)组成；所述的电源(5)包括温控加热炉电源(501)和测试直流电源(502)；所述的测量表(3)包括电压表(301)和电流表(302)；所述的硅碳棒加热炉(202)置于所述的屏蔽机构(4)之内，屏蔽装置(4)接地，在该硅碳棒加热炉(202)内的载物台(106)上安置所述的待测样品(105)，在所述的第一测试电极(103)和第二测试电极(104)之间连接所述的电压表(301)，所述的第一通电电极(101)通过所述的电流表(302)与所述的测试直流电源(502)的正极或负极相连，所述的第二通电电极(102)通过一个开关(303)接所述的测试直流电源(502)的负极或正极，所述的温控加热炉电源(501)通过所述的温度控制器(201)和硅碳棒加热炉(202)相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910197040.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自动升降理线架
- 下一篇：表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法
