[发明专利]混合晶向应变硅衬底及其制备方法

摘要

一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一锗硅层的位错密度，并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层，能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中，应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺，能够保持应变硅的应变程度。

主权项

一种混合晶向应变硅衬底，其特征在于，包括：支撑衬底，所述支撑衬底具有第一晶向；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层，所述锗硅层包括第一锗硅区域和第二锗硅区域，所述第一锗硅区域具有第一晶向，第二锗硅区域具有第二晶向；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层，所述应变硅层包括第一应变硅区域和第二应变硅区域；所述第一应变硅区域设置于第一锗硅区域表面，亦具有第一晶向；所述第二应变硅区域设置于第二锗硅区域表面，亦具有第二晶向。