[发明专利]防止晶圆表面不平及曝光中失焦的方法有效
| 申请号： | 200910197081.8 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044432A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;G03F7/09 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种防止晶圆表面不平的方法，包括：提供基底，所述基底具有第一面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面上形成有半导体器件层；在所述基底的第二面形成保护层。一种防止曝光中失焦的方法，包括：提供基底，所述基底具有第一面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面上形成有半导体器件层；在所述基底的第二面形成保护层；在所述半导体器件层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光。本发明避免了清洗过程造成的晶圆厚度不均匀现象，防止了光刻曝光中的失焦问题。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 表面 不平 曝光 中失焦 方法 | ||
【主权项】：
一种防止晶圆表面不平的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有第一面和第二面，所述第一面与第二面相对，所述第一面上形成有半导体器件层；在所述基底的第二面形成保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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