[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200910197091.1 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044524A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明;高大为;杨士宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互连结构，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的至少两个第一金属衬垫；位于需要连接的第一金属衬垫之间的第一碳纳米管，用于电连接所述需要连接的第一金属衬垫。互连结构形成方法包括步骤：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成至少两个第一金属衬垫；在需要连接的第一金属衬垫之间形成第一碳纳米管，用于电连接所述需要连接的第一金属衬垫。本发明由于纳米管的连线截面极小，相邻两线的电容不在需要降低介质的K值来降低，因此可以用普通的具有良好机械强度的氧化硅来替代Low-K介质，也可以降低互连结构中的传输延迟，并且大幅度提高可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构，其特征在于，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的至少两个第一金属衬垫；位于需要连接的第一金属衬垫之间的第一碳纳米管，用于电连接所述需要连接的第一金属衬垫。
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