[发明专利]单晶硅片表面磷酸基硅烷-CdSe复合薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种单晶硅片表面磷酸基硅烷-CdSe复合薄膜的制备方法，首先将单晶硅片浸泡在王水中，经加热、自然冷却处理后取出，用去离子水反复冲洗后干燥，再浸入配制好的氨基硅烷溶液中，在基片表面组装氨基硅烷薄膜，然后再置入含有三氯氧化磷和2，3，5-三甲基吡啶的氰化甲烷溶液中，反应20分钟，取出后用去离子水冲洗，得到表面组装有磷酸基团的薄膜基片；再将该基片置入CdSe悬浮液中，在30～90℃静置2～24小时，取出用大量去离子水冲洗，用氮气吹干，得到表面沉积有CdSe复合薄膜的单晶硅片。本发明工艺简单，成本低，对环境无污染，制得的CdSe复合薄膜具有十分明显的减摩作用，具有良好的抗磨损和抗粘着性能。

主权项

1、一种单晶硅片表面磷酸基硅烷-CdSe复合薄膜的制备方法，其特征在于：采用表面经过纳米氧化铈抛光的单晶硅片作为基底材料，在其表面采用自组装方法制备磷酸基硅烷-CdSe复合薄膜，具体步骤如下：A)首先对单晶硅片进行预处理：将单晶硅片浸泡在王水中，使用电炉加热王水，在120℃下加热5～6个小时，在室温中自然冷却7～8小时，将单晶硅片取出，用去离子水反复冲洗，放入干燥皿中干燥；B)将处理后的单晶硅片浸入配制好的氨基硅烷溶液中，静置12小时，取出后分别用无水甲醇、去离子水冲洗后，用氮气吹干后置于含有三氯氧化磷和2，3，5-三甲基吡啶的氰化甲烷溶液中反应20分钟，取出后用去离子水冲洗，得到表面组装有磷酸基团的薄膜基片；C)再将CdSe在室温下按0.05～0.15mg/ml放入N，N-二甲基甲酰胺分散剂，选取超声波功率为40W超声分散1～4小时，得到稳定的悬浮液；D)然后将表面组装有磷酸基团的薄膜基片浸入经步骤C)制备好的CdSe悬浮液中，在30～90℃静置2～24小时；E)取出用去离子水冲洗，冲洗后用氮气吹干，这样就得到表面沉积有改性CdSe复合薄膜的单晶硅片。